Методические указания по выполнению лабораторных работ для студентов направления 210100 «Электроника и наноэлектроника»



страница7/7
Дата31.07.2016
Размер0.9 Mb.
ТипМетодические указания
1   2   3   4   5   6   7

7.2. Описание лабораторного макета
Схема лабораторного макета представлена на рис. 7.4.


Рис. 7.4.

Она содержит три рассмотренных выше каскада, снабжённых регулировочными и измерительными элементами. Для измерения входного сопротивления в каскадах используются резисторы R1. С помощью резисторов Rн регулируется сопротивление нагрузки. Резистор Rэ в схеме с ОЭ служит для измерения режима работы транзистора.

Во всех каскадах используются БТ с одинаковыми параметрами. Это позволяет осуществлять сравнительную оценку свойств различных каскадов.

Макет питается от напряжения – 12 В. Вывод – 12 В источника подключается к клемме – 12 В макета. Вывод «общий» источника подключается к общему проводу макета.

В качестве источника входного сигнала используется звуковой генератор. Выходное сопротивление генератора устанавливается минимально возможным. Амплитуда входного сигнала не должна быть больше 1В для схем с ОЭ и ОБ и 5В для схемы с ОК.

На выход каскадов подключаются вольтметр переменного напряжения и осциллограф. Последний необходим для контроля формы выходного сигнала.

В процессе измерений выводы корпусов всех приборов соединяются с общим проводом макета.
7.3. Расчётное задание
При заданных на рис. 7.4 номиналах элементов рассчитать для всех трёх схем включения БТ:

− величины параметров Rн, Rвх, Rвых в области средних частот;

− значения частот ωн, ωв.

При расчёте положить s = 50 нА/В, Ri = 50 кОм, Rн = 5 кОм.

Расчётные соотношения приведены в п. 1, 2, 3 методических указаний.
7.4. Лабораторное задание
1. Измерить зависимость коэффициента усиления Кu схемы с ОЭ от режима работы транзистора. Для этого предварительно установить uвх = 20 мВ, fвх = 103 Гц, R1 = 0, Rн = 5 кОм. Режим работы БТ изменять при помощи резистора Rэ. При этом необходимо следить за тем, чтобы не было видимых искажений формы выходного синусоидального сигнала. При появлении искажений следует уменьшить амплитуду сигнала на входе каскада.

Результаты измерений занести в таблицу:






200

400

600

800

Rэ, кОм

0

0,5

1

1,5

2

2,5

3

3,5


























2. Измерить амплитудно-частотную характеристику всех каскадов Кu() в диапазоне частот f = 20 Гц20 кГц. При этом установить R1 = 0, Rн = 5 кОм, uвх = 20 мВ для схем с ОЭ и ОБ и uвх = 2 В для схемы с ОК. Номинал Rэ для каскада с ОЭ должен составлять 1 кОм.

Результаты измерений занести в таблицу:

f, Гц

тип


каскада

20

50

102

2∙102

5∙102

103

2∙103

5∙103

104

2∙104

ОЭ, Ku































ОK, Ku































ОБ, Ku






























3. Измерить зависимость коэффициента усиления всех каскадов Ku от сопротивления нагрузки Rн на частоте f = 103 Гц при R1 = 0. Входное напряжение для каждого каскада поддерживать на уровне, заданном в п. 5.2.

Результаты измерений занести в таблицу:

Rн, кОм

тип


каскада

0,5

1,0

1,5

2,0

2,5

3

3,5

4,0

4,5

5,0

ОЭ, Ku































ОK, Ku































ОБ, Ku






























4. Определить выходное сопротивление каждого из каскадов, воспользовавшись результатами измерений из п.п. 5.3.



; , (7.44)
где , – значения Ku, полученные при Rн = и Rн = соответственно.

5. Определить входное сопротивление всех каскадов на частоте f = 103 Гц . Входное напряжение и номинал Rн для каждого из каскадов следует поддерживать на уровне, заданном в п. 2.


,. (7.45)
Напряжения и определяются при постоянном значении и различных значениях резистора R1 = R11 и R2 = R12.
Контрольные вопросы
1. Дайте сравнительную характеристику каскадов по параметрам Кu, Rвх, Rвых.

2. Какие параметры транзисторов и элементы схем каскадов определяют частотную характеристику в области выходных частот?

3. Какие элементы схем каскадов влияют на частотную характеристику в области низких частот?

4. Чем объясняется высокое входное и низкое выходное сопротивление каскада с ОК?

5. Каково назначение элементов Rэ, Сэ в каскаде с ОЭ?
Литература
1. Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. Пер. с нем. М.: Мир, 1982.

2. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники. Т. 1,2. Пер. с англ. М.: Мир, 1983.



3. Мамонкин И. Г. Усилительные устройства. М.: Связь, 1977.

4. Долбня В. Т. и др. Электронные цепи непрерывного и импульсного действия. Киев: Высшая школа, 1979
Каталог: Portals
Portals -> Правила оформления тезисов докладов и статьей Текст и рисунки должны быть черно-белыми!!! Статья и тезисы доклада должны быть предоставлены в двух форматах ms
Portals -> Ю. С. Андрианов (Россия, Йошкар-Ола)
Portals -> Программа шестой международной научной школы «наука и инновации 2011»
Portals -> Возраст: 22 года Семейное положение
Portals -> Программные продукты, полученные в 2015 году
Portals -> Методические указания к лабораторным работам (на стенде тмж-2) Для студентов направления 270800 "Строительство"


Поделитесь с Вашими друзьями:
1   2   3   4   5   6   7


База данных защищена авторским правом ©uverenniy.ru 2019
обратиться к администрации

    Главная страница