1 Нормативные документы для разработки ооп впо по направлению подготовки 011800. 62 «Радиофизика»


Место дисциплины в структуре ООП ВПО



страница11/15
Дата31.07.2016
Размер2.95 Mb.
1   ...   7   8   9   10   11   12   13   14   15

1 Место дисциплины в структуре ООП ВПО


Дисциплина относится к вариативной части учебного цикла – В3.2 профессиональной подготовки.

Дисциплина базируется на следующих дисциплинах: "Математика", "Физика (общая)", "Химия", “Материалы электронной техники”, “Физические основы электроники”, “Статистическая и квантовая физика”, “Физика конденсированного состояния”, Метрология, стандартизация и технические измерения.


Знания, полученные по освоению дисциплины, необходимы при выполнении бакалаврской выпускной квалификационной работы и изучении дисциплин: «Наноэлектроника», «Основы проектирования электронной компонентной базы», «Основы технологии электронной компонентной базы», «Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и интегральных схем», «Математическое моделирование технологических процессов, полупроводниковых приборов и интегральных схем», «Физико-топологическое моделирование структур микроэлектроники и твердотельной электроники», «Основы лучевых и плазменных технологий», а также программы магистерской подготовки по направлению –Электроника и наноэлектроника.


2.Место дисциплины в модульной структуре ООП

Дисциплина "Микроэлектроника" является самостоятельным модулем. Курс лекций читается студентам направления 011800.62 Радиофизика



3.Целью изучения дисциплины

Цели освоения дисциплины "Микроэлектроника" является приобретение знаний по физическим процессам в биполярных и полевых транзисторах, особенностях их работы в составе интегральных схем; основным принципам микроэлектроники; методам изоляции в интегральных схемах; основным свойствам и характеристикам аналоговых и цифровых интегральных схем; схемотехническим структурам интегральной микроэлектроники.


3.4. Структура дисциплины


Раздел 1.Микроэлектроника: основные определения , понятия и общие сведения: Введение. Цель и задачи изучения дисциплины, ее взаимосвязь с другими дисциплинами, изучаемыми в вузе. Роль микроэлектроники в технике, в том числе промышленной электронике, вычислительной технике и радиоэлектронике. Терминология в микроэлектронике. Классификация изделий микроэлектроники: интегральные микросхемы, микроЭВМ и микропроцессоры; функциональные приборы и микросхемы; микрокомпоненты. Классификация интегральных микросхем (ИМС): полупроводниковые и гибридные, на биполярных и МДП-элементах, цифровые и аналоговые; малой, средней, большой и сверхбольшой степени интеграции. Достоинства и недостатки каждого вида микросхем. Классификация ИМС по функциональному назначению: серии, система обозначений ИМС.

Раздел 2.Базовые процессы и технологии микроэлектроники Процессы эпитаксии, литография, ионная имплантация, термическая диффузия, тонкопленочные технологии. Основы планарной технологии. Сущность группового метода. Процессы эпитаксии, формирования диэлектрических покрытий, литографии, получение легированных слоев. Методы изоляции элементов, способы их коммутации. Элементы биполярных ИМС.

Раздел 3.Элементы полупроводниковых интегральных микросхем: Особенности структуры и топологии транзисторов в интегральном исполнении: эпитаксиально-планарный и изопланарный. Многоэмиттерный и многоколлекторный транзисторы. Диодное включение транзисторных структур. Резисторы и конденсаторы биполярных ИМС. Элементы МДП ИМС. Особенности интегральных МДП транзисторов. Транзисторы с самосовмещенными затворами. МДП конденсаторы и резистивные элементы. Элементы МДП СБИС: принцип масштабирования, комплементарные структуры, вертикальные МДП транзисторы, структуры "кремний на диэлектрике". Элементы ИМС на основе арсенида галлия. Сравнительная характеристика кремния и арсенида галлия как материалов микроэлектроники. Разновидности интегральных транзисторов на арсениде галлия. Особенности элементов со структурой металл-полупроводник и гетеропереходом. Элементная база и особенности структуры цифровых БИС и СБИС.

Раздел 4.Элементы гибридных ИМС: Основы пленочной технологии. Методы изготовления пленочных элементов. Пленочные резисторы, конденсаторы, индуктивные элементы. Стабилизация и подгонка

параметров пленочных элементов. Основные типы навесных компонентов, техника их монтажа. Особенности гибридных БИС. Конструкция многослойных коммутационных плат. Технология сборки ИМС и ГИМС.



Раздел 5.Вопросы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем :Основные положения и понятия теории надежности. Интенсивность отказов, вероятность безотказной работы. Показатели надежности. Постепенные и катастрофическиеотказы. Причины отказов полупроводниковых приборов и ИМС. Надежность элементов ИМС в целом. Испытания на надежность. Пути повышения качества и надежности ИМС.

Раздел 6.Элементы функциональной микроэлектроники Задачи и принципы функциональной микроэлектроники. Физическая интеграция.

Основные направления функциональной микроэлектроники. Элементы оптоэлектроники. Характеристика и особенности оптической связи. Разновидности оптронов, их структура и основные свойства. Оптоэлектронные ИМС и интегральная оптика. Элементы магнитооптики. Магнитные эффекты в тонких магнитных пленках. Цилиндрические магнитные домены. Управление движением ЦМД. Принципы построения запоминающих и логических элементов на ЦМД. Элементы криоэлектроники. Практическая значимость явления сверхпроводимости. Туннельные эффекты Джозефсона: принцип действия, основные свойства, применение. Основы акустоэлектроники. Пьезоэлектрический эффект. Объемные и поверхностные акустические волны. Пьезорезонаторы. Устройства на поверхностных акустических волнах: принцип действия, основные свойства, применение.


5.Основные образовательные технологии.


Лекционные занятия проводятся в форме лекций с использованием компьютерных презентаций. Контроль текущих знаний для проводиться в рамках компьютерного тестирования в среде «AST».

При выполнении лабораторного практикума студенты в обязательном порядке проводят обработку экспериментальных данных с применением программных сред MicrosoftExell, MathCad.





Поделитесь с Вашими друзьями:
1   ...   7   8   9   10   11   12   13   14   15


База данных защищена авторским правом ©uverenniy.ru 2019
обратиться к администрации

    Главная страница