Исследование продуктов лазерной абляции монокристаллического кремния в водной среде при облучении наносекундными импульсами волоконного иттербиевого лазера



Скачать 77.54 Kb.
Дата09.07.2016
Размер77.54 Kb.
ТипИсследование


Исследование продуктов лазерной абляции монокристаллического кремния в водной среде при облучении наносекундными импульсами волоконного иттербиевого лазера


В. П. Вейко, Д. С. Поляков, А. М. Скворцов, Е. С. Чопенко

Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия

В работе проведено исследование продуктов лазерной абляции монокристаллического кремния, находящегося под слоем воды, при облучении наносекундными импульсами волоконного иттербиевого лазера. Представлены СЭМ-изображения структур, осажденных при осушении коллоидного раствора, сформированного в процессе абляции. Методами ИК спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния установлен их химический состав и структурные особенности.

Введение. Лазерная абляция в жидкой среде является многообещающим методом формирования коллоидных растворов наночастиц различных материалов. Интерес к наночастицам кремния обусловлен возможностью их применения в приложениях биомедицинской физики [1] и оптоэлектроники [2]. Перспективной представляется идея об использовании наночастиц кремния, созданных методом лазерной абляции под слоем жидкости, в качестве основы для создания структур нанокластеров кремния в слоях диоксида кремния. Известно, что подобный нанокомпозит может использоваться в устройствах кремниевой фотоники [3] и энергонезависимой памяти [4].

В известных на сегодня работах для получения кремниевых наночастиц методом лазерной абляции под слоем жидкости используются лазеры ультракороткой длительности [5], наносекундные Nd-YAG лазеры (третья гармоника, 355 нм) [6,7], наносекундные эксимерные KrF лазеры (245 нм) [7]. С точки зрения практических приложений волоконные иттербиевые лазеры (1070 нм), обладающие высоким КПД, надежностью и позволяющие генерировать мощные импульсы на высоких частотах повторения (~ 100 кГц, что обеспечивает их высокую производительность), выглядят более перспективными. В связи с этим исследование продуктов абляции кремния, находящегося под слоем жидкости, при воздействии наносекундных импульсов волоконного иттербиевого лазера представляет интерес.

В работе представлены СЭМ-изображения структур, полученных при осушении коллоидного раствора, сформированного в процессе абляции, на подложке. Исследованы химический состав и структурные свойства полученных образцов.

Описание эксперимента. В качестве исходных образцов использовались пластины монокристаллического кремния КДБ-10 толщиной 380 мкм с естественным слоем оксида на поверхности, ориентированной в плоскости (100). Образцы помещались под слой дистиллированной воды, толщиной 2 – 3 мм. В качестве источника излучения использовался импульсно-периодический иттербиевый волоконный лазер со следующими параметрами: энергия импульса Ep до 1 мДж, частота следования импульсов f от 20 до 100 кГц, длительность одиночного импульса 100 нс. Перемещение луча по поверхности осуществлялось с помощью двухосевого сканатора, позволяющего реализовывать скорости сканирования v до 8000 мм/с. Облучение проводилось путем многократного сканирования по площади 5×5 мм2 с числом проходов N. Излучение, имеющее гауссов профиль интенсивности, фокусировалось в пятно диаметром около 80 мкм по уровню e-2 на поверхности кремния. Сформированный после облучения в режиме абляции раствор осушался на чистой подложке монокристаллического кремния на воздухе при температуре подложки 80 °С. После осушения раствора некоторые образцы подвергались травлению в 10% растворе плавиковой кислоты в течение 1 мин. Полученные образцы исследовались методами сканирующей электронной микроскопии (СЭМ). Для выяснения химического состава и структуры продуктов абляции использовались методы ИК-спектроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния.


Рисунок SEQ Рисунок \* ARABIC 1. СЭМ-изображения поверхности кремниевой подложки после осушения на ней коллоидного раствора (а – общий план, в – увеличенное изображение) и после травления в плавиковой кислоте (б – общий план, г – увеличенное изображение)

Основные результаты и их обсуждение. Излучение с длиной волны 1070 нм слабо поглощается кремнием, коэффициент поглощения которого составляет около 20 см-1. Однако, при воздействии достаточно интенсивных наносекундных импульсов за счет ряда нелинейных эффектов, к числу которых можно отнести генерацию электрон-дырочной плазмы с высокой концентрацией (свыше 1020 см-3 [9]) и уменьшение ширины запрещенной зоны при нагреве решетки, коэффициент поглощения существенно увеличивается и эффективная абляция кремния становится возможной. В указанных экспериментальных условиях заметные повреждения кремниевой подложки наблюдались при энергии импульса свыше 0.12 мДж. При многократном сканировании в режимах, превышающих указанный порог, раствор приобретал коричневатый оттенок. На рис. 1 показаны СЭМ-изображения поверхности пластины кремния после осушения на ней коллоидного раствора полученного при следующем режиме обработки (Ep = 0.25 мДж, f = 50 кГц, v = 8000 мм/с, N = 500) и после последующего травления с различным увеличением. Как видно из рис. 1а и рис. 1в на поверхности формируется сложная структура, состоящая из пленки (на рис. 1а в некоторых местах видны трещины в ней), в которую внедрены частицы сферической формы. При травлении в плавиковой кислоте пленка удаляется, и на поверхности остаётся лишь совокупность отдельно лежащих частиц и частиц, объединенных в небольшие кластеры. Из рис. 1г видно, что большинство частиц имеют размеры менее 100 нм. Отметим, что при энергиях импульса слегка превышающих порог абляции при длительном облучении с числом циклов сканирования N = 500 в растворе присутствует достаточно большое количество крупных частиц с размерами более 500 нм. При повышении энергии импульса до 0.25 – 0.35 мДж доля таких частиц невелика. Вероятное объяснение этому наблюдению может заключаться в следующем. По мере облучения раствор становится полупрозрачным из-за наличия в нем частиц кремния и начинает поглощать часть падающего излучения. При больших энергиях импульса, доля поглощенной частицами в растворе энергии становится достаточной для их разрушения, которое многократно повторяется при длительном облучении, соответственно, вероятность обнаружения крупных частиц после обработки высокоэнергетичными импульсами существенно снижается. В то же время немаловажно, то, что при повышении энергии импульса свыше 0.35 мДж происходит интенсивное разбрызгивание раствора, существенно затрудняющее проведение эксперимента.


Рисунок SEQ Рисунок \* ARABIC 3 .Рамановские спектры продуктов абляции, осаждённых на стеклянную подложку


Рисунок SEQ Рисунок \* ARABIC 2. ИК-спектры пропускания полученных образцов: черная кривая – спектр исходной платины, синяя кривая – спектр пластины с осажденными продуктами абляции, красная кривая – спектр образца с осажденными продуктами абляции после травления в плавиковой кислоте

На рис. 2 показаны ИК спектры пропускания кремниевых пластин до осушения раствора, после осушения и после осушения с последующим травлением. Как видно, в спектрах, снятых непосредственно после осушения раствора, появилась интенсивная полоса поглощения в диапазоне волновых чисел 1000 – 1200 см-1, наличие которой свидетельствует о значительном числе сформированных в осажденных на подложке продуктах абляции Si-O связей. Пик поглощения с центром вблизи 480 см-1 также может быть ассоциирован с наличием кремний-кислородных связей, а пик поглощения вблизи 804 см-1 с присутствием комплексов SiH2, либо SiH(Si2O)[9]. После травления указанные линии поглощения исчезают. Отличия спектра поглощения образцов после травления от спектров исходных пластин проявляются лишь высокочастотной области, где наблюдается плавное снижение коэффициента пропускания с ростом волнового числа.

В дополнении к методу ИК спектроскопии для идентификации химического состава и структурных особенностей полученных в ходе эксперимента образцов были измерены спектры комбинационного рассеяния. Для этого коллоидный раствор осушался на стеклянную подложку, не дающую существенно вклада в регистрируемый сигнал. Результаты измерений показаны на рис. 3. Как видно в спектре присутствует только один пик на 521 см-1 соответствующий кристаллическому кремнию (оксид кремния не фиксируется на спектрах комбинационного рассеяния). Существенно отметить отсутствие в спектре широкой полосы с максимумом на 480 см-1, соответствующей аморфному кремнию и обычно наблюдающейся при исследовании наночастиц кремния, полученных методом лазерной абляции под слоем жидкости (см. напр. [10]). Таким образом, полученные в эксперименте частицы кремния имеют кристаллическую структуру, аморфная фаза практически отсутствует. Отметим, что, например, при создании нанокомпозитных слоев диоксида кремния с внедренными нанокластерами Si предпочтительно обеспечить кристаллическую структуру нанокластеров [11].

Основываясь на результатах проведенных исследований можно заключить, что абляция монокристаллического кремния под слоем дистиллированной воды при облучении наносекундными импульсами волоконного иттербиевого лазера сопровождается формированием оксида кремния и наночастиц кремния сферической формы имеющих кристаллическую структуру. После осушения коллоидного раствора, содержащего продукты абляции на поверхности формируется структура, состоящая из пленки оксида кремния, которая может быть удалена при последующем травлении, с включениями наночастиц кремния. Отметим, что, по-видимому, выраженное окисление кремния при лазерной абляции под слоем воды в данной работе наблюдалось впервые.

Таким образом, в работе показано, что для формирования наночастиц кремния методом лазерной абляции под слоем жидкости с размерами менее 100 нм возможно использование наносекундного волоконного иттербиевого лазера (1070 нм). При этом доля аморфной фазы в синтезированных наночастицах практически отсутствует, а процесс абляции сопровождается выраженным формированием оксида кремния.


Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ № 13-02-00033.

Список литературы:

1. В. Ю. Тимошенко, А. А. Кашкаров, Л. А. Осминкина, А. С. Воронцов, Ю. В. Рябчиков, И. А. Белогорохов, Д. Ковалев, П. К. Кашкаров. Кремниевые нанокристаллы как фотосенсибилизаторы активного кислорода для биомедицинских применений. Письма в ЖЭТФ, Т. 83, 2006, с. 492 – 495

2. Л. В. Григорьев, А. В. Михайлов. Формирование кремниевого нанокомпозита лазерным отжигом в среде сильного окислителя. Оптический журнал, Т. 80, 2013, с. 94 – 97

3. P. Bettotti, M. Cazzanelli, L. Dal Negro, B. Danese, Z. Gaburro, C. J. Oton, G. Vijaya Prakash and L. Pavesi. Silicon nanoclasters for photonics. J. Phys.: Condens. Matter, V. 14, 2002, pp. 8253 – 8281.

4. S. Tiwari, F. Rana, K. Chan, H. Hanafi, C. Wei, D. Buchanan. Volatile and nonvolatile memories in silicon with nano-crystal storage. IEEE Int. Electron Devices Meeting Tech. Dig., 1995, pp. 521 – 524.

5. R. Intartaglia, K. Bagga, F. Brandi, G. Das, A. Genovese, E. Di Fabrizio and A. Diaspro. Optical Properties of Femtosecond Laser-Synthesized Silicon Nanoparticles in Deionized Water. J. Phys. Chem. C, V. 115, pp. 5102 – 5107

6. V. Švrček, T. Sasaki, Y. Shimizu, N. Koshizaki. Aggregation of Silicon Nanocrystals Prepared by Laser Ablation in Deinized Water. Journal of Laser Micro/Nanoengineering, V. 2, 2007, pp. 15-20

7. Laser ablation: Theory and Application, ed. by S. E. Black, “Nova Science Publishers”, New York, 2011, p. 276

8. Лазерно-индуцированные оптические и термические процессы в конденированных средах и их взаимное влияние. М. Н. Либенсон, СПб, “Наука”, 2007, с. 423

9. А.С. Леньшин ¶ , В.М. Кашкаров, П.В. Середин, Ю.М. Спивак, ∗ В.А. Мошников. Исследование электронного строения и химического состава пористого кремния, полученного на подложках n- и p-типа, методами XANES и ИК спектроскопии. ФТП, Т. 45, 2011, с. 1229 – 1234



10. О. И. Ерошова, П. А. Перминов, С. В. Заботнов, М. Б. Гонгальский, А. А. Ежов, Л. А. Головань, П. К. Кашкаров. Структурные свойства кремниевых наночастиц, изготовленных методом импульсной лазерной абляцией в жидких средах. КРИСТАЛЛОГРАФИЯ, Т. 57, 2012, с. 942 – 947

11. А. М. Скворцов, Фам Куанг Тунг. Структура нанокластеров кремния в системе кремний – диоксид кремния. Изв. вузов. Приборостроение. Т. 52, 2009, с. 69 – 73


Поделитесь с Вашими друзьями:


База данных защищена авторским правом ©uverenniy.ru 2019
обратиться к администрации

    Главная страница