1. Измерение к ис и снятие амплитудно-частотной характеристики иоу в качестве измеряемой схемы можно использовать инвертирующий усилитель с отрицательной обратной связью (оос)




Скачать 27.03 Kb.
Дата10.08.2016
Размер27.03 Kb.
В.Н. СОЛОВЬЕВ

Научный руководитель – Т.М. АГАХАНЯН, д.т.н., профессор



Московский инженерно-физический институт (государственный университет)
определение параметров интегральных операционных усилителей
для проектирования электронных устройств, работающих в условиях радиации
В работе представлена методика измерения основных параметров и изменения шумовых характеристик интегральных операционных усилителей
Испытания для определения радиационной стойкости ИОУ проводились имитационными методами с помощью лазерного имитатора «РАДОН-5М» для воздействия импульсного гамма-излучения и рентгеновского имитатора «РЕИС-ИМ» для воздействия стационарного гамма-излучения.

Методика измерения параметров ИОУ

1. Измерение Кис и снятие амплитудно-частотной характеристики ИОУ

В качестве измеряемой схемы можно использовать инвертирующий усилитель с отрицательной обратной связью (ООС). На инвертирующем входе добавлен резистивный делитель, который облегчает измерение малых напряжений на входе ИОУ. При низких частотах входного сигнала, когда значения Кис велики, следует измерять напряжение на входе делителя и на выходе ИОУ. На высоких частотах, когда значение Кис мало, резистивный делитель следует отключить и измерять напряжение непосредственно на входе ИОУ[1].

2. Измерение Uвх. см

При измерении Uвх. см во входных цепях ИОУ включают низкоомные цепи с тем, чтобы вклад параметров Iвх. см, Iвх.сд в смещение выходного напряжения был незначителен. Поскольку величена КисUвх. см может оказаться больше максимального выходного напряжения усилителя, измерения Uвх. см проводят при наличии отрицательной обратной связи.

3. Измерение тока потребления

Измеряют ток потребления измерителями постоянного тока. Ток потребления ОУ, симметричных источников напряжения, измеряют только от одного источника.

4. Измерение Iвх.см и Iвх.сд

Измерение этих параметров проводят при включенной цепи частотной коррекции. Iвх.см представляет собой эквивалентное значение входного тока, характеризующего разность перепадов напряжений на входе ИОУ, которая обусловлена различием сопротивлений Rг1 и Rг2 в этой цепи. Iвх.сд представляет собой эквивалентное значение разности входных токов Iвх1 и Iвх2, характеризующий ту часть отклонения выходного напряжения, приведенного ко входу, которая появляется при одинаковых Rг1 = Rг2 из-за асимметрии во входной цепи.

Измерение шумовых характеристик ИОУ

Для измерения шумовых показателе к выходу микросхемы подключают активный фильтр, с выхода которого шумовые сигналы поступают на вход осциллографа.

В области низших частот преобладают шумы рекомбинации- генерации со спектром 1/fш. Действие ионизирующих излучений приводит не только к повышению уровня низкочастотных шумов, но также к увеличению граничной частоты fш , т.е. к сдвигу их спектральной плотности в область более высоких частот. Влияние шумов 1/fш особенно ощутимо в униполярных транзисторах.

В электронных устройствах, работающих в условиях воздействия ионизирующих излучений, иногда учитываются шумы, связанные с фототоками, интенсивность которых определяется [2] формулой

/i ш.ф /2 =2eIфМΔf,

где М – среднее число носителей заряда, генерируемых каждым фототоком Iф. Учет i ш.ф необходим при низких уровнях ионизации (при высоких уровнях фототока необходимость учета всех видов шумов отпадает, так как нарушается нормальная работа ИМС).


Список литературы


  1. Лабораторный практикум по курсу «Электронные усилители и источники питания». // Под ред. Агаханян Т.М. М.: МИФИ, 1994

  2. Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р.. Скоробогатов П.К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. М.: Энергоатомиздат, 1989.


База данных защищена авторским правом ©uverenniy.ru 2016
обратиться к администрации

    Главная страница